Память SAMSUNG 8 Гб, DDR5 DIMM, 5600 МГц, OEM 1 модуль, 44800 Мб/с, 1.1 В (M323R1GB4PB0-CWM)

Написать отзыв
464136
18 267 

19 228 ₽ по безналичному расчёту

В наличии
  • Доставка 1–2 дня
  • Доставка до транспортной компании - бесплатно
  • Минимальная сумма заказа 3000 руб.
Код вендора
M323R1GB4PB0-CWM
Тип товара
Память
Бренд
SAMSUNG
Объем памяти
8 Гб
Тип памяти
DDR5
Форм-фактор
DIMM
Тактовая частота (МГц)
5600
Количество модулей памяти в комплекте
1

Память SAMSUNG DDR5: Фундамент для новой эры производительности

Переход на стандарт DDR5 — это не просто апгрейд, это качественный скачок в архитектуре персональных компьютеров и рабочих станций. Модуль SAMSUNG 8 Гб DDR5-5600 (M323R1GB4PB0-CWM) представляет собой идеальный строительный блок для современных систем, предлагая не только высокие частоты, но и принципиально новые преимущества платформы.

Кому подойдет этот модуль памяти?

Это решение станет отличным выбором для нескольких категорий пользователей:

  • Сборщики современных офисных и мультимедийных ПК: Для систем на базе Intel Alder Lake, Raptor Lake или AMD Ryzen 7000, где DDR5 является стандартом. Одного модуля достаточно для комфортной работы, а в будущем легко добавить второй для двухканального режима.
  • Пользователи, планирующие постепенный апгрейд: Покупка одного модуля сейчас позволяет снизить первоначальные затраты на сборку ПК с новой платформой, с четким планом докупить идентичную память позже.
  • Корпоративные клиенты и сборщики систем: Надежность Samsung и OEM-поставка делают этот модуль предсказуемым и стабильным компонентом для серийной сборки.
  • Энтузиасты, тестирующие платформы: Как референсный модуль от одного из лидеров рынка чипов памяти, он отлично подходит для проверки стабильности новой материнской платы или процессора.

В чем ключевые выгоды модели DDR5-5600 от Samsung?

  • Энергоэффективность нового поколения: Напряжение питания всего 1.1 В против типичных 1.35 В у DDR4 означает меньшее тепловыделение и сниженную нагрузку на контроллер памяти процессора, что критически важно для компактных систем.
  • Встроенная коррекция ошибок (On-Die ECC): Ключевая архитектурная инновация DDR5. Схема самоисправления ошибок непосредственно на чипах памяти значительно повышает стабильность и надежность передачи данных, что особенно ценно для продолжительных рабочих сессий и фоновых задач.
  • Удвоенная эффективность банков: Архитектура DDR5 разделяет каждый модуль на два независимых 32-битных канала (вместо одного 64-битного у DDR4). Это увеличивает эффективность работы с памятью и снижает задержки в многопоточных сценариях.
  • Высокая пропускная способность: Скорость передачи данных до 44800 МБ/с создает мощный буфер для процессора, ускоряя загрузку игровых уровней, рендеринг, компиляцию кода и работу с большими массивами данных.
  • Надежность от производителя чипов: Samsung — один из крупнейших в мире производителей чипов памяти. Использование модулей на собственных отборных чипах гарантирует высочайшее качество, совместимость и долгосрочную стабильность работы.

Выбирая SAMSUNG M323R1GB4PB0-CWM, вы инвестируете не просто в оперативную память, а в технологическую основу своей системы на годы вперед. Это разумный и сбалансированный первый шаг в мир DDR5, который обеспечит вашей сборке запас производительности и современный фундамент для будущих обновлений.

Отзывы не найдены

Внимание! Просим Вас проверять информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя или у менеджеров нашей компании. Внешний вид изделия, его комплектация и характеристики с описанием могут быть изменены производителем без предварительного уведомления. Технические характеристики, описание и цена на данном сайте носят исключительно информационный характер и не являются публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Если Вы обнаружили ошибку, пожалуйста, сообщите нам об этом.

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
  • Самые популярные
  • Распродажа