Память SAMSUNG 8 Гб, 1 модуль DDR4 DIMM, 25600 Мб/с, CL19, 1.2 В, 3200MHz (M378A1G44AB0-CWE)

Написать отзыв
470567
2 630 

2 630 ₽ по безналичному расчёту

В наличии
  • Доставка 1–2 дня
  • Доставка до транспортной компании - бесплатно
  • Минимальная сумма заказа 3000 руб.
Код вендораM378A1G44AB0-CWE БрендSAMSUNG
Тип товара
Память
Код вендора
M378A1G44AB0-CWE
Бренд
SAMSUNG
Форм-фактор
DIMM
Тип памяти
DDR4
Объем памяти
8 Гб
Количество модулей памяти в комплекте
1
Тактовая частота (МГц)
3200

Код вендора    M378A1G44AB0-CWE
Производитель    Samsung
Тип оборудования    Оперативная память
Частота (MHz)    DDR4 - 3200
Тип памяти DDR    DDR4
Тип памяти    DIMM
Объем одного модуля (ГБ)    8
Количество модулей в комплекте (шт)    1
Общий объем памяти (ГБ)    8
Пропускная способность (МБ/с)    25600
Kоличество контактов    288
CAS Latency (CL)    19
RAS to CAS Delay (tRCD)    19
Row Precharge Delay (tRP)    19
Тайминги    19-19-19
Напряжение (В)    1.2
Чип    1Gb x 16-bit
Высота (мм)    32

Отзывы не найдены

Внимание! Просим Вас проверять информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя или у менеджеров нашей компании. Внешний вид изделия, его комплектация и характеристики с описанием могут быть изменены производителем без предварительного уведомления. Технические характеристики, описание и цена на данном сайте носят исключительно информационный характер и не являются публичной офертой. Если Вы обнаружили ошибку, пожалуйста, сообщите нам об этом.

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
  • Самые популярные
  • Распродажа