Память SILICON POWER 4 Гб, DDR4, 21300 Мб/с, CL19, 1.2 В, 2666MHz, SO-DIMM (SP004GBSFU266N02)
- Доставка 1–2 дня
- Доставка до транспортной компании - бесплатно
- Минимальная сумма заказа 3000 руб.
Код производителя SP004GBSFU266N02
Форм-фактор SO-DIMM
Тип памяти DDR-4
Объём памяти 4 Гб
Объем одного модуля 4 Гб
Количество модулей в комплекте 1
Тактовая частота 2666 МГц
Пропускная способность 21300 Мб/с
Тайминги
CAS Latency (CL) 19
Дополнительно
Напряжение питания 1.2 В
Система охлаждения нет
Отзывы не найдены
Внимание! Просим Вас проверять информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя или у менеджеров нашей компании. Внешний вид изделия, его комплектация и характеристики с описанием могут быть изменены производителем без предварительного уведомления. Технические характеристики, описание и цена на данном сайте носят исключительно информационный характер и не являются публичной офертой. Если Вы обнаружили ошибку, пожалуйста, сообщите нам об этом.