Память SILICON POWER 4 Гб, DDR4 SO-DIMM, 2666 МГц 1 модуль, 21300 Мб/с, CL19, 1.2 В (SP004GBSFU266N02)

Написать отзыв
276946
1 072 

1 072 ₽ по безналичному расчёту

Нет в наличии
  • Доставка 1–2 дня
  • Доставка до транспортной компании - бесплатно
  • Минимальная сумма заказа 3000 руб.
Код вендораSP004GBSFU266N02 БрендSILICON POWER
Тип товара
Память
Код вендора
SP004GBSFU266N02
Бренд
SILICON POWER
Форм-фактор
SO-DIMM
Тип памяти
DDR4
Объем памяти
4 Гб
Количество модулей памяти в комплекте
1
Тактовая частота (МГц)
2666

Код производителя    SP004GBSFU266N02
Форм-фактор      SO-DIMM
Тип памяти      DDR-4
Объём памяти      4 Гб
Объем одного модуля      4 Гб
Количество модулей в комплекте      1
Тактовая частота      2666 МГц
Пропускная способность      21300 Мб/с
Тайминги
CAS Latency (CL)      19
Дополнительно
Напряжение питания      1.2 В
Система охлаждения      нет

Отзывы не найдены

Внимание! Просим Вас проверять информацию о данном товаре с информацией на официальном сайте производителя или у менеджеров нашей компании. Внешний вид изделия, его комплектация и характеристики с описанием могут быть изменены производителем без предварительного уведомления. Технические характеристики, описание и цена на данном сайте носят исключительно информационный характер и не являются публичной офертой. Если Вы обнаружили ошибку, пожалуйста, сообщите нам об этом.